← 資訊首页 | 货源大厅

High-NA EUV 主题文章

共 4 篇 · 由萬安算交所资讯持续追踪

• لا لـ4F2: ترسم Micron مسارها نحو DRAM ثلاثية الأبعاد عبر لحام الرقائق
  2026-11-05 · وتطوّر صانعة الذاكرة أيضاً ذاكرة HBM عمودية وذاكرة استدلال للحافة مصممة لتجلس مب
• جبهة موحدة ضد تجزئة الرقائق: TSMC وSamsung وIntel وASML تتبنى أقنعة ضو
  2026-11-04 · تدعم شركات ASML وIntel وSamsung وTSMC بالاشتراك الأقنعة الضوئية بمقاس 6×12 بوصة
• TSMC تحدد عام 2030 لطرح تقنية High-NA EUV، مع ترجيح عقدَي A10 أو A11
  2026-11-04 · كشفت TSMC عن خطط لاعتماد تقنية الحفر الضوئي High-NA EUV عام 2030، مع ترشّح تقنيت
• Intel Foundry وASML تتجاوزان حاجز المليون رقاقة باستخدام تقنية High-NA
  2026-11-04 · أعلنت الشركتان عن هذا الإنجاز في مؤتمر SPIE المنعقد هذا الأسبوع في مدينة مونتيري

萬安算交所 AIXX · 进入货源大厅