2026-11-05 · المصدر：Tom's Hardware
وتطوّر صانعة الذاكرة أيضاً ذاكرة HBM عمودية وذاكرة استدلال للحافة مصممة لتجلس مباشرة فوق المعالجات، في خارطة طريق ذات انعكاسات مباشرة على تغليف مسرعات الذكاء الاصطناعي.
شطبت Micron الخيار 4F2 من قائمتها. فقد رفضت صانعة الذاكرة تصميم الخلية المدمج بوصفه طريقها إلى DRAM الجيل القادم، وأرست خارطة الطريق بدلاً منه في تقنيتين مختلفتين جداً: لحام الرقائق (wafer bonding) وتقنية الطباعة الحجرية High-NA EUV.
هذا الرفض هو أكثر تفاصيل الخطة دلالة. فمصطلح 4F2 يصف تخطيط خلية أكثر إحكاماً من شأنه تقليص مساحة السيليكون التي يستهلكها كل بت مخزَّن، وتبنّيه هو أحد الروافع التقليدية للصناعة لمدّ ذاكرة DRAM في الكثافة. وقد قررت Micron ألا تسحب ذلك الرافع. ومكانه، تنوي الشركة إدخال لحام الرقائق — الذي يضم الرقائق معاً بحيث يمكن تكديس الذاكرة وربطها على نطاق الرقاقة — وHigh-NA EUV، الخطوة التالية في دقة النقش بتقنية الأشعة فوق البنفسجية القصوى، إلى إنتاج DRAM المستقبلي لديها.
ولا تُقدَّم أياً من التقنيتين بوصفها الحالة النهائية. فتؤطر Micron لحام الرقائق وHigh-NA EUV بوصفهما الجسر إلى انتقال أكثر جذرية: أخذ DRAM إلى ثلاثة أبعاد بذاكرة مهيكلة عمودياً، وهو تحول تتوقع الشركة أن يتكشف خلال السنوات القليلة المقبلة.
وتحمل خارطة الطريق مساراً ثانياً موجهاً صراحةً إلى الذكاء الاصطناعي. فإلى جانب تطور DRAM التقليدي، تطوّر Micron ذاكرة عالية عرض النطاق عمودية تعيد صياغة HBM بوصفه بنية عمودية التوجه، إلى جانب مفهوم منفصل تسميه ذاكرة الاستدلال العمودية للحافة — ذاكرة مصممة لتُدمج مباشرة فوق المعالجات. وطيّ قدرة الاستدلال في كومة المعالج ذاتها، بدل إلحاقها كمكوّن منفصل، هو نوع التحول في التغليف الذي قد يعيد تشكيل كيفية بناء أنظمة الذكاء الاصطناعي للحافة والعملاء.
ولكل من يخطط لمشتريات بنية تحتية للذكاء الاصطناعي ممتدة على سنوات، فإن التسلسل هو الإشارة الحقيقية: تتوقع Micron أن يجري التوسع التقليدي أولاً عبر لحام الرقائق وHigh-NA EUV، مع أن الذاكرة ثلاثية الأبعاد والتكديس المدمج في المعالجات يتبعان ضمن نافذة تقيسها الشركة بالسنوات.
الوسوم: Micron · DRAM · HBM · High-NA EUV · Wafer Bonding · 3D DRAM
萬安算交所 AIXX · AIXX · بورصة الحوسبة الموثقة · قاعة التداول