2026-11-04 · المصدر：Tom's Hardware
تضاعف عملية FD-SOI كثافة الترانزستورات مقارنة بـ 22FDX، والإنتاج مخطط له في 2028 بينما تستعيد المصنع مسارًا متقدم العقد ركنته جانبًا.
سبع سنوات مدة طويلة لتغيب عنها السباق الأشد أثرًا في صناعة أشباه الموصلات. فقد قررت GlobalFoundries، التي انسحبت من تطوير FinFET قبل سبع سنوات، العودة الآن إلى أراضي العقد المتقدم — لكن من بابٍ مختلف.
وسيلة هذه العودة هي FDX Fusion، عملية من فئة 7nm مبنية على FD-SOI. وتقول GlobalFoundries إن العقدة الجديدة تضاعف كثافة الترانزستورات مقارنة بـ 22FDX، منصة FD-SOI الموجودة أصلًا في محفظتها — قفزة كبيرة داخل عائلة التقنية ذاتها. ويشير الكشف إلى عودة الشركة رسميًا إلى تطوير FD-SOI المتقدم، وهو فرع من هندسة العمليات ركنته جانبًا حين تراجعت عن بنيات الترانزستورات الرائدة وحوّلت خارطة طريقها إلى جهة أخرى.
أما الإنتاج فمخطط له في 2028.
قصة القصة هنا هي المسار ذاته. حين تخلت GlobalFoundries عن FinFET قبل سبع سنوات، أخرجها ذلك القرار من سباق التصغير الذي يحدد قمة الصناعة، واشتغلت الشركة منذ ذلك الحين وفق أطروحة مختلفة. ويوسّع FDX Fusion المنطق نفسه في اتجاه جديد: فبدل مطاردة بنية الترانزستورات التي تخلّت عنها، تدفع المصنع تقنيتها المتمايزة FD-SOI نحو أبعاد فئة 7nm، مع الكثافة المضاعفة مقارنة بـ 22FDX بوصفها الدليل الملموس وراء هذا البرنامج. إنها عودة إلى التطوير المتقدم، لكنها منفذة وفق شروط المصنع ذاتها وعلى ركيزتها التي اختارتها هي.
أما لمشتري الرقائق، فالرقمان الواجب تتبعهما هما ادعاء الكثافة والتقويم. فقفزة الضعف مقارنة بـ 22FDX تحدد ما يقدمه FDX Fusion فعليًا؛ وهدف الإنتاج في 2028 يحدد مدى بُعد المكافأة زمنيًا. وإذا بلغت العقدة التصنيع في موعده، فستعود GlobalFoundries إلى الإنتاج بأبعاد فئة 7nm — إقليم أخلته حين تخلت عن FinFET، لتُبنى الآن على السيليكون فوق العازل لا على تقنية الترانزستورات التي تركتها وراءها قبل سبع سنوات.
الوسوم: GlobalFoundries · FDX Fusion · FD-SOI · 22FDX · Semiconductor Manufacturing
萬安算交所 AIXX · AIXX · بورصة الحوسبة الموثقة · قاعة التداول