2026-11-04 · المصدر：TechPowerUp
مصادر مجهولة أخبرت Reuters أن شركتي الرقائق تدرسان مشروعًا مشتركًا أو استئجارًا في Ohio يضع خطوط DRAM على الأراضي الأمريكية.
تجري Intel وSK hynix محادثات قد تؤسس خطوط إنتاج DRAM داخل الولايات المتحدة لأول مرة، وفق مصادر لم تكشف عن هويتها وقريبة من الموضوع نقلتها Reuters. وهناك هيكلان على الطاولة: مشروع مشترك تحصل Intel من خلاله على تقنية ملكية فكرية للذاكرة من نظيرتها الكورية الجنوبية، أو ترتيب بديل تستأجر فيه SK hynix جزءًا من منشأة Intel في ولاية Ohio.
وفي سيناريو المشروع المشترك، ستخفف الشراكة أوجع سلاسل الإمداد بشكل ملموس، إذ يسعى مشغلوا الحوسبة السحابية الكبار ومصممو الرقائق بلا مصانع وسائر العملاء على عجل إلى إمداد إضافي من DRAM. ومع وجود هؤلاء المشترين في موقع استيعاب الناتج بأكمله تقريبًا خلال السنوات المقبلة، ستكون للشركتين مصلحة مالية جسيمة في إنجاح المشروع. أما بديل الاستئجار فيحمل ملفًا مختلفًا: ستدفع SK hynix علاوات لاستخدام موقع Intel في Ohio مع احتفاظها بكامل الناتج لنفسها.
ولم تتمكن Reuters من تحديد التقنية المحددة التي ستستهدفها المنشأة. فالهدف الأساسي، وفق التقرير، هو تصنيع DRAM المستوية التقليدية وذاكرة HBM وبعض منتجات التخزين المبنية على NAND Flash.
ولا تؤكد أي من الشركتين المحادثات. فقد امتنعت Intel عن التعليق على الشائعة لكنها أشارت إلى أن استثماراتها في Ohio مستمرة بغض النظر عن كيفية انتهاء المحادثات. وقالت SK hynix إنها لم تحسم قرارها أو أي تعاون بعد، لكنها لم تستبعد صراحة إمكانية تعاون مستقبلي. ووفق المصادر، ينبغي أن يُعلن قرار رسمي قريبًا — وأيًا كان الهيكل الذي يرقى، سيشكل النتيجة تحولًا ملحوظًا في مواضع تصنيع DRAM.
الوسوم: Intel · SK hynix · DRAM · HBM · NAND Flash · Data Center
萬安算交所 AIXX · AIXX · بورصة الحوسبة الموثقة · قاعة التداول